Lehrstuhl Halbleiterepitaxie

Forschungsschwerpunkt ist die Epitaxie von III/V-Halbleiterstrukturen als Ausgangspunkt für die Herstellung von elektronischen und optoelektronischen Bauelementen. Insbesondere werden sogenannte Gruppe-III-Nitride untersucht, die besondere Eignung für die Herstellung von Laser- und Leuchtdioden aber auch für die Hochleistungselektronik besitzen. Der Lehrstuhl wurde 1996 von Prof. Alois Krost begründet und wird seit 2016 von Prof. André Strittmatter geleitet.