Lehrstuhl Halbleiterepitaxie

Forschungsschwerpunkt ist die Epitaxie von III/V-Halbleiterstrukturen als Ausgangspunkt für die Herstellung von elektronischen und optoelektronischen Bauelementen. Insbesondere werden sogenannte Gruppe-III-Nitride untersucht, die besondere Eignung für die Herstellung von Laser- und Leuchtdioden aber auch für die Hochleistungselektronik besitzen. Ebenso befassen wir uns mit dem Materialsystem der Arsenide für Anwendungen im infraroten Spektralbereich und für die Quantenkommunikation. Unser Spektrum reicht vom Entwurf von neuartigen Reaktoren, über die Strukturaufklärung mit modernsten Methoden der Röntgenbeugung und nano-analytischer Verfahren, bis zur Fertigung von Halbleiterbauelementen und deren Charakterisierung. Obige Bildergalerie präsentiert eine Auswahl an Röntgendiffraktometern, Epitaxieanlagen und weiteren Analysegeräten.

Diese Aktivitäten sind größtenteils durch externe Förderer wie der Deutschen Forschungsgemeinschaft und Ministerien des Bundes gefördert. Zusätzlich unterhalten wir vielfältige Kontakte zu Unternehmen der Halbleiterindustrie. Unsere Absolventen besitzen daher ein sehr breitangelegtes Fachwissen im Bereich der Nanotechnologien, dem epitaktischen Schichtwachstum und der Halbleiterbauelemente.

 

Letzte Änderung: 03.03.2022 - Ansprechpartner: